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2.突觸后電位
(1)興奮性突觸后電位(epsp)：是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部去極化電位變化。
產生機制是興奮性遞質作用于突觸后膜的相應受體，使遞質門控通道(化學門控通道)開放，后膜對na+和k+的通透性增大，并且由于na+的內流大于k+的外流，故發(fā)生凈內向電流，導致細胞膜的局部去極化。
(2)抑制性突觸后電位(ipsp)：是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部超極化電位變化。
產生機制為是抑制性中間神經元釋放的抑制性遞質作用于突觸后膜，使后膜上的遞質門控氯通道開放，引起外向電流，結果使突觸后膜發(fā)生超極化。此外，ipsp的形成還可能與突觸后膜鉀通道的開放或鈉通道和鈣通道的關閉有關。
表7-1
興奮性突觸后電位及抑制性突觸后電位的區(qū)別
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epsp |
ipsp |
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前膜釋放遞質的性質 |
興奮性遞質 |
抑制性遞質 |
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后膜對離子的通透性 |
提高na+、k+通透性 |
（責任編輯：中大編輯）
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